6-8-12寸晶圆等离子清洗机

产品型号：NE-PE20F
性能特点：体积小巧，清洗效率高
产品用途：12寸及以下晶圆清洗活化

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产品介绍
产品参数

NE-PE20F晶圆等离子清洗机是一款机型紧凑，占地面积小，但处理效率高的表面等离子体清洗设备，适用于12寸及以下晶圆清洗，其工作原理为在接近真空的环境下，通过射频电源使内部残余气体分子电离，产生等离子体，这些等离子体在电场下加速，之后做高速运动，和被清洗的晶圆表面发生物理碰撞，将表面的污染物去除。等离子体清洗不但可以清洗晶圆表面，还可以提高表面活性，提高材料表面粘接能力，提高焊接能力，亲水性等，这种清洗技术在去胶工艺中具有操作方便、效率高、表面干净、无划伤等特点，优势十分明显。

视频展示：

工艺能力：
晶圆尺寸：8-12寸及以下（含不规则）
晶圆材料：SOI、SI、玻璃、铜片等其他半导体材料
正性及负性光刻胶去胶。
SU-8负性光刻胶去胶。
聚酰亚胺光刻胶（PI）去胶。
有机物去除。
基片表面等离子改性（02\Ar）

晶圆等离子清洗工艺流程
先将待清洗的半导体晶圆码放在等离子清洗的清洗室内，对清洗室进行抽真空直至清洗室内的真空度达到设定值，然后充入工作气并将清洗室内的真空度保持在设定值；开启高频电源，对清洗室内的气体进行电离，对在清洗室内的半导体晶圆进行清洗；清洗完成后，关闭高频电源，向清洗室内充入保护气直至清洗室内的内气压达到常压后，将清洗完成后的半导体晶圆从清洗室内取出。所述等离子清洗工艺能够对光刻胶残污有效去除，去除效果好，去污速率高，去污的均匀性能得到保证。

典型使用案例：
SU-8负性光刻胶去胶图示
晶圆等离子清洗去胶图示

等离子清洗测试数据：

晶圆等离子清洗原理：
等离子体是物质的一种存在状态，是除了固体，液体和气体之外的状态，也可以称作是物质的第四态。等离子体中含有多种物质：处于高速运动状态的电子，处于激活状态的原子、分子、原子团(自由基)，离子化的原子、分子，分子解离过程中生成的紫外线，未反应的原子、分子等。等离子体虽然仍保持电中性，但具有很高的物理化学反应活性。等离子清洗技术就是利用这些活性组分来清洗晶圆表面的。

等离子清洗包括物理反应和化学反应两个方面：一方面利用高能粒子流轰击晶圆表面，使晶圆表面吸附的杂质解吸；另一方面是利用活性粒子(如自由基)与晶圆表面的沾污发生化学反应并生成易挥发的物质，然后利用技术手段将生成的易挥发物质带走，其中氧离子可以将有机污染物氧化，其产物以二氧化碳和水蒸气的形式排出。常用于清洗的等离子体有NF3、H2及Ar等，利用这些等离子体可以实现多种类型污染物的有效清洗。

等离子体清洗具有许多优点：
(1) 工艺简单、操作方便：清洗过程不需要清洗液的参与，因此省略了湿法清洗的相关操作；
(2) 绿色环保：清洗过程中没有废液和废水处理，不会对环境造成污染；
(3) 适应范围广：既能对有机材料也能对无机材料进行清洗；
(4)清洗效果好：

晶圆等离子清洗机常用于去除晶圆表面处理上的微粒、彻底去除光刻胶和其他有机物、活化及粗化晶圆表面、提高晶圆表面浸润性等，等离子清洗机在晶圆表面处理上的处理效果明显，目前在晶圆加工中普遍使用。

型号	NE-PE20F晶圆等离子清洗机
容积	约20L
等离子发生器频率	13.56MHz
质量流量计	0-50cc/min
真空传感器	爱发科皮拉尼真空计
设备应用	去胶清洗活化处理
控制系统	PLC 控制系统，触摸屏全自动控制
气体通道	2路工艺气体通道，可通氧气、氩气等
射频系统	0-300W，自动抗阻抗匹配
腔体尺寸	380(L)×375(D) ×150(H)mm
外形尺寸	645mm(L)×574mm(W) ×655 mm(H)

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